סוג האירוע

בחר הכל

קולוקוויום

סמינרים

כנסים וימי עיון

מועדון IAP

צהרי יום א'

הרצאות לקהל הרחב

ימים פתוחים וייעוץ

טקסים ואירועים מיוחדים

תחום האירוע

בחר הכל

ביה"ס לפיזיקה ולאסטרונומיה

החוג לאסטרופיזיקה

החוג לחומר מעובה

החוג לחלקיקים

המועדון האסטרונומי

סמינר מיוחד בחומר מעובה: Strongly correlated electrons and Feshbach resonances in two-dimensional semiconductor bilayers

Ido Schwartz

01 בפברואר 2023, 11:00 
בניין קפלון, חדר 103 
סמינר בחומר מעובה

 

Abstract:

In this talk, I will present recent experiments where we investigated the many-body physics of electrons and excitons in two-dimensional transition metal dichalcogenides (TMDs). For our investigation, we used a structure composed of encapsulated MoSe2 homobilayer separated by a monolayer hBN tunnel barrier, where top and bottom gates enable independent control of the chemical potential and the electric field. I will describe a method that utilizes the energy shift of the exciton-polaron resonance to detect a layer-resolved charge configuration. Using this method, we found a periodic chemical potential dependence on carrier filling, indicating the existence of moiré subbands. Electric field tuning at a filling of one electron per moiré unit cell results in abrupt interlayer charge transfer, evidencing the emergence of a strongly correlated incompressible electronic state. In this state, a new exciton umklapp resonance appears, evidencing the emergence of a periodic charge distribution. Furthermore, by hole doping, we realized a tunnel coupled moiré lattice, where we observed an electric field and moiré site-dependent inter-layer coherent tunneling. Finally, I will show an electrically tunable two-dimensional Feshbach resonance in exciton-hole scattering, which allows us to control the strength of interactions between excitons and holes located in different layers.

 

 

מארגן הסמינר: פרופ' יורם דגן

 

אוניברסיטת תל אביב עושה כל מאמץ לכבד זכויות יוצרים. אם בבעלותך זכויות יוצרים בתכנים שנמצאים פה ו/או השימוש
שנעשה בתכנים אלה לדעתך מפר זכויות, נא לפנות בהקדם לכתובת שכאן >>